EDB1332BDBH-1DAAT-F-D是美光科技生产的一款1Gb容量移动LPDDR2 SDRAM存储器，采用32M x 32的并行架构。该器件核心优势在于其533MHz的高时钟频率与1.14V~1.95V的宽电压供电范围，在提供高速数据带宽的同时，实现了优异的功耗控制，满足现代移动计算平台对能效的严格要求。
其采用134-VFBGA小型化封装，支持表面贴装，非常适合空间紧凑的便携式设备设计。工作温度范围覆盖-40°C至105°C，确保了在工业与扩展商业温度环境下的可靠运行。这款易失性存储器主要面向智能手机、平板、车载系统及各类嵌入式应用，为需要高性能、低功耗内存解决方案的设计提供了关键支持。
- 型号:EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:134-VFBGA（10x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:32M x 32
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:134-VFBGA
- 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5）
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