MT29F512G08EBHBFJ4-T:B

MT29F512G08EBHBFJ4-T:B是美光科技生产的一款512Gb（64GB）容量、采用TLC NAND技术的并行接口闪存芯片。该器件以8位组织（x8），提供高密度数据存储解决方案，工作电压范围为1.7V至1.95V，平衡了性能与功耗。

芯片采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业及工业级应用环境。其非易失性特性和并联接口架构，使其成为需要大容量、可靠数据存储的嵌入式系统和企业级存储设备的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBHBFJ4-T:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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