MT46V64M8BN-6:F是一款由美光科技制造的512Mb（64M x 8）DDR SDRAM芯片，采用并联接口和60-TFBGA表面贴装封装。其核心卖点在于基于167MHz时钟的DDR技术，可实现高效的双倍数据速率传输。
该器件在2.3V至2.7V电压下工作，提供700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，确保了数据读写的响应速度。其0°C至70°C的工作温度范围使其适用于广泛的商用嵌入式及工业应用场景，作为系统的主内存或缓存单元。
- 型号:MT46V64M8BN-6:F
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
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