MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR

MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR是美光科技推出的一款大容量并行NAND闪存芯片，采用272-VFBGA封装，总存储容量高达1.5Tb（192G x 8），适用于高密度数据存储应用。

该器件支持333MHz时钟频率的并联接口，可实现高速数据读写，其工作电压范围为2.5V至3.6V，兼容性较强。作为非易失性存储器，它在0°C至70°C的商业级温度范围内能稳定工作，满足嵌入式系统和存储设备对可靠性与性能的双重要求。

• 制造商产品型号：MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-VFBGA
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