MT46V64M8BN-5B:F 是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用64M x 8位的组织架构。该器件基于并行接口，时钟频率为200MHz，可实现400MT/s的数据传输速率，其700ps的访问时间和15ns的写周期时间保证了高速的数据读写性能。
芯片工作电压为2.5V至2.7V，采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C。这些参数使其成为对存储带宽和响应速度有要求的嵌入式系统、网络设备及工业控制应用的理想选择，提供了可靠的易失性存储解决方案。
- 型号:MT46V64M8BN-5B:F
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
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