M29W128GH70N3E是美光科技生产的一款128Mb（16M x 8 / 8M x 16）并行NOR闪存，采用56-TFSOP表面贴装封装。该芯片为非易失性存储器，采用FLASH-NOR技术，确保数据在断电后不丢失。
其核心优势在于70ns的高速访问时间和写周期时间，以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围，能够兼容主流3.3V系统。器件支持-40°C至125°C的工业级工作温度，具备高可靠性，适用于环境要求严苛的嵌入式应用，为系统提供稳定的代码存储与执行解决方案。
- 型号:M29W128GH70N3E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8，8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:56-TSOP
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