MT46V64M4FG-5B:G TR

MT46V64M4FG-5B:G TR是美光科技生产的一款256Mb DDR SDRAM存储器芯片。该器件采用64M x 4位的组织架构，工作电压为2.5V~2.7V，标准并联接口，封装形式为60-FBGA，支持表面贴装。

其核心性能参数包括200MHz的时钟频率，可实现400Mbps/pin的数据传输速率，访问时间仅为700ps，写周期时间为15ns。这些特性使其能够提供高速、低延迟的数据存取能力，适用于对内存带宽和响应时间有要求的应用场景。

该芯片工作温度范围为0°C至70°C，属于商业级产品。尽管目前已停产，但其在嵌入式系统、网络设备及工业控制等领域中，作为主内存或缓存仍具有明确的技术定位与应用价值。

• 型号:MT46V64M4FG-5B:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:64M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x14）
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