MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR是美光科技推出的一款符合AEC-Q100标准的汽车级混合存储器。该器件在单颗162-VFBGA封装内集成了4Gb NAND闪存和8Gb LPDDR2移动DRAM，实现了非易失性大容量存储与高速易失性缓存的统一，有效优化了系统架构与板级空间。
其核心优势在于满足汽车电子对可靠性与性能的严苛要求。该芯片支持-40°C至105°C的宽工作温度范围，并采用1.7V~1.9V的低电压供电。高达533MHz的时钟频率确保了并联接口下的高速数据访问能力，使其非常适合处理ADAS、车载信息娱乐等应用中的实时数据流与海量存储任务。
- 型号:MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:162-VFBGA（10.5x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
- 存储容量:4Gb（NAND），8Gb（LPDDR2）
- 存储器组织:512M x 8（NAND），512M x 16（LPDDR2）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:162-VFBGA
- 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
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