MT46V32M8CY-5B:M TR是美光科技生产的一款256Mb容量DDR SDRAM芯片，采用32M x 8位的并行存储结构。该器件基于DDR技术，在200MHz的时钟频率下可实现400Mbps的有效数据传输速率，其核心性能指标突出，访问时间达到700ps，写周期时间为15ns，能够满足对数据吞吐量和响应速度有较高要求的应用。
芯片工作电压范围为2.5V至2.7V，采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度符合0°C至70°C的商用标准。其设计旨在为嵌入式系统、网络设备及工业控制应用提供可靠的高速、中等容量易失性存储解决方案。
- 型号:MT46V32M8CY-5B:M TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
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