MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR是一款由美光科技制造的2Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用256M x 8位的存储结构，工作电压范围为2.7V至3.6V，为非易失性数据存储提供了可靠的解决方案。
其核心优势在于工业级的鲁棒性，支持-40°C至85°C的宽工作温度范围，确保在恶劣环境下稳定运行。芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，具备紧凑的物理尺寸和良好的热性能，适用于空间受限的嵌入式应用设计。
- 型号:MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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