MT41K64M16JT-125:G TR

MT41K64M16JT-125:G TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用64M x 16位的存储组织架构。该器件核心特性在于其低功耗设计，标准工作电压为1.35V（范围1.283V~1.45V），属于DDR3L低电压规格，能显著降低系统整体能耗。

在性能方面，它支持800MHz的时钟频率，实现高达1600 MT/s的数据传输速率，访问时间为13.75ns，能够满足中高速数据处理的需求。器件采用并联接口和96-TFBGA表面贴装封装，适用于空间受限的嵌入式设计。其宽工作温度范围（0°C至95°C TC）确保了在严苛环境下的稳定运行，主要面向工业控制、网络通信、消费电子等领域的存储缓冲应用。

• 型号:MT41K64M16JT-125:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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