MT46V16M16CY-5B AAT:M是美光科技生产的一款256Mb DDR SDRAM芯片，采用16M x 16位的组织架构。该器件基于并联接口，运行时钟频率为200MHz，并利用DDR技术实现每个时钟周期两次数据传输，从而提供较高的数据吞吐率。
其关键参数包括700ps的访问时间和15ns的写周期时间，确保了快速的数据读写性能。芯片工作电压范围为2.5V至2.7V，并支持-40°C至105°C的宽工作温度范围，符合工业级应用的环境可靠性要求。产品采用60-TFBGA表面贴装封装，适用于对空间和可靠性有严格要求的嵌入式存储解决方案。
- 型号:MT46V16M16CY-5B AAT:M
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
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