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MICRON
MT29F2G16ABDHC:D TR的图片

MT29F2G16ABDHC:D TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
原厂封装:封装:63-VFBGA(10.5x13)
优势价格,MT29F2G16ABDHC:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F2G16ABDHC:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F2G16ABDHC:D TR是美光科技推出的一款2Gb容量NAND闪存芯片,采用128M x 16位的存储结构。该器件基于并联接口设计,提供非易失性数据存储解决方案,工作电压范围为1.7V至1.95V,支持低功耗运行。

其核心特性包括采用63-VFBGA小型化表面贴装封装,适用于空间紧凑的PCB设计,并指定在0°C至70°C的商业温度范围内工作。该产品已停产,主要面向现有设备维护与特定应用需求。

  • 型号:MT29F2G16ABDHC:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:63-VFBGA(10.5x13)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:128M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:63-VFBGA
  • 供应商器件封装:63-VFBGA(10.5x13)
  • 想获取MT29F2G16ABDHC:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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