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MICRON
MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR的图片

MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 1GBIT SPI 24TPBGA
原厂封装:封装:24-T-PBGA(6x8)
优势价格,MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR是美光科技推出的一款1Gb容量串行NOR闪存,采用SPI接口,最高时钟频率可达133MHz。其核心优势在于支持双倍数据速率(DDR)和四通道输出(Quad Output)模式,能够大幅提升数据读取吞吐量,满足高性能系统对快速代码执行和数据访问的需求。

该芯片属于Automotive, AEC-Q100系列,工作温度范围为-40°C至105°C,电压供应为2.7V至3.6V,具备高可靠性和环境适应性。其页面编程时间仅为2.8ms,并采用24-TBGA封装,适用于表面贴装工艺,主要面向汽车电子、工业控制及网络设备等对存储稳定性与速度有严格要求的应用场景。

  • 型号:MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:24-T-PBGA(6x8)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 1GBIT SPI 24TPBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:最后售卖
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:SPI
  • 时钟频率:133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:8ms,2.8ms
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-TBGA
  • 供应商器件封装:24-T-PBGA(6x8)
  • 想获取MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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