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MICRON
M58WR032KB70ZB6W TR的图片

M58WR032KB70ZB6W TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56VFBGA
原厂封装:产品封装:56-VFBGA
优势价格,M58WR032KB70ZB6W TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M58WR032KB70ZB6W TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

M58WR032KB70ZB6W TR是美光科技生产的一款32Mb并行NOR闪存,采用56-VFBGA封装。该器件提供2M x 16位的存储结构,支持高达66MHz的时钟频率和70ns的快速访问/写入时间,能够实现高效的程序执行与数据存取。

其工作电压范围为1.7V至2.0V,有助于降低系统整体功耗,同时具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围,确保了在恶劣环境下的可靠性。这款芯片适用于对启动速度、数据可靠性和功耗有较高要求的嵌入式应用。

  • 制造商产品型号:M58WR032KB70ZB6W TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:32Mb(2M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:66MHz
  • 写周期时间-字,页:70ns
  • 访问时间:70ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 2V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:56-VFBGA
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