MT46V128M4BN-5B:F

MT46V128M4BN-5B:F 是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM存储器芯片。该器件采用128M x 4的组织结构，通过并联接口与主控制器连接，其核心优势在于利用DDR技术，在200MHz的I/O时钟频率下实现400MT/s的有效数据传输速率，显著提升了数据吞吐能力。

该芯片提供700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，响应迅速。其工作电压为2.5V~2.7V，采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围覆盖0°C至70°C。这些参数共同定义了其作为一款适用于要求中等存储密度与较高带宽的嵌入式及网络通信设备的易失性内存解决方案。

• 制造商产品型号：MT46V128M4BN-5B:F
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.5V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
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