MT46H8M32LFB5-5:H TR

MT46H8M32LFB5-5:H TR是美光科技生产的一款256Mbit移动低功耗DDR SDRAM。该器件采用8M x 32位的存储结构，通过并联接口提供数据通路，其核心优势在于平衡了性能与功耗。

它在200MHz的时钟频率下运行，支持双倍数据率传输，并具备5ns的访问时间，能够满足早期移动设备对内存带宽和响应速度的基本需求。同时，其1.7V至1.95V的低工作电压范围显著降低了功耗，符合电池供电设备的能效要求。器件采用90-VFBGA小型化封装，适用于空间紧凑的便携式电子产品设计。

作为一款商业级（0°C至70°C）易失性存储器，它主要面向已进入产品生命周期维护阶段的智能手机、平板电脑等嵌入式系统，用作系统的主运行内存。

• 制造商产品型号：MT46H8M32LFB5-5:H TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量：256Mb（8M x 32）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：5ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：90-VFBGA
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