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MT18KSF51272HZ-1G4M1

美光(MICRON)图标
存储器 - 模块
制造厂商：美光(MICRON)
功能简述：MODULE DDR3L SDRAM 4GB 204SODIMM
原厂封装：204-SODIMM
优势价格，MT18KSF51272HZ-1G4M1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT18KSF51272HZ-1G4M1的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT18KSF51272HZ-1G4M1 是美光科技推出的一款 4GB 容量 DDR3L SDRAM 内存模组，采用标准的 204 针 SODIMM 封装。该模组运行速度为 1333MT/s，能够提供高效的数据吞吐性能，满足主流移动计算平台对内存带宽的需求。

其核心优势在于采用了 DDR3L 低电压技术，工作电压仅为 1.35V，相比传统 DDR3 内存显著降低了功耗，这对于提升便携式设备的电池续航时间和控制整体系统热设计至关重要。紧凑的 SODIMM 外形使其能够轻松集成到空间受限的笔记本、一体机及各类嵌入式硬件解决方案中。

  • Micron美光半导体完整型号: MT18KSF51272HZ-1G4M1
  • 制造商：Micron Technology（美光科技）
  • 功能总体简述: MODULE DDR3L SDRAM 4GB 204SODIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR3L SDRAM
  • 存储容量: 4GB
  • 速度: 1333MT/s
  • 封装/外壳: 204-SODIMM
  • 想获取MT18KSF51272HZ-1G4M1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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