NAND512R3A2DZA6E是美光科技生产的一款512Mb（64M x 8）并行接口NAND闪存，采用63-TFBGA封装。其核心特性包括50ns的快速页写入时间和访问时间，以及1.7V至1.95V的低工作电压范围，兼顾了性能与功耗。
该器件支持-40°C至85°C的工业级工作温度，具备非易失性存储特性，适用于对环境适应性和数据可靠性有要求的应用。其并行接口架构提供了高效的数据存取路径，适合用作嵌入式系统中的程序存储或数据缓存介质。
- 型号:NAND512R3A2DZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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