MT47H64M16HR-3:H TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM芯片,采用64M x 16位的并行架构。该器件在333MHz时钟频率下运行,实现高达667MT/s的数据传输率,其450ps的访问时间和15ns的写周期时间确保了高效的数据处理能力。
芯片采用1.8V核心供电,工作温度范围为0°C至85°C,并以84-TFBGA封装形式提供,适用于表面贴装工艺。这些参数共同定义了其在要求稳定、高速数据存取的嵌入式系统中的核心价值,为各类电子设备提供了关键的内存解决方案。
- 型号:MT47H64M16HR-3:H TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA(8x12.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
- 想获取MT47H64M16HR-3:H TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料