MT46V128M4BN-5B:F TR

MT46V128M4BN-5B:F TR是美光科技推出的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用128M x 4位的存储组织架构。该器件基于并联接口，在200MHz的时钟频率下运行，凭借DDR技术实现每个数据引脚高达400Mbps的数据传输速率，具备快速的数据吞吐能力。

其关键参数包括15ns的写周期时间与700ps的访问时间，确保了高效的数据读写性能。芯片采用2.5V~2.7V供电，工作于0°C至70°C的商用温度范围，并以60-TFBGA封装和卷带形式供货，适用于表面贴装工艺。这些特性使其成为需要中等容量、高速数据缓冲的嵌入式存储解决方案的典型选择。

• 制造商产品型号：MT46V128M4BN-5B:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.5V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
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