MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR是美光科技生产的一款4Gb容量移动低功耗DDR SDRAM。该器件采用128M x 32位的组织架构,通过并联接口提供高达333MT/s的有效数据传输速率,其核心优势在于实现了高性能与低功耗的平衡,工作电压低至1.7V-1.95V,专为延长电池续航的便携式设备而优化。
其技术规格包括166MHz的时钟频率、5ns的访问时间以及-40°C至85°C的工业级工作温度范围,确保了在苛刻环境下的可靠性和响应速度。器件采用168-WFBGA小型化封装,以表面贴装形式满足现代电子设备对高密度板卡设计的需求。
- 型号:MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:168-WFBGA(12x12)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:128M x 32
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:5 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:168-WFBGA
- 供应商器件封装:168-WFBGA(12x12)
- 想获取MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料