MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR

MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR是美光科技推出的一款4Tb容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性闪存技术，核心架构为512G x 8，提供了海量的数据存储空间，确保信息在无电源状态下持久保存。

其关键性能优势在于支持高达333MHz时钟频率的并联接口，能够实现高速数据读写，显著提升大数据传输效率。芯片工作电压范围为2.5V至3.6V，并支持0°C至70°C的商业级工作温度，兼顾了设计灵活性与环境适应性。卷带（TR）包装形式便于自动化生产装配。

综合来看，这款芯片的核心卖点在于将4Tb的超大存储容量与333MHz的高带宽接口相结合，为需要处理大量数据且对传输速度有要求的应用提供了高密度的存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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