MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR是美光科技推出的一款2Gb容量、采用移动LPDDR技术的易失性DRAM存储器。该器件采用128M x 16的存储结构，通过并联接口实现高速数据访问，其核心优势在于低至1.7V~1.95V的工作电压与高达208MHz的时钟频率相结合，在提供416MT/s数据速率的同时，显著降低了系统功耗。
该芯片具备5ns的快速访问时间和14.4ns的写周期时间，确保了高效的数据处理能力。其宽工作温度范围（-40°C至85°C）与60-VFBGA紧凑封装，使其能够可靠地集成于对空间和环境适应性要求严苛的移动及嵌入式设计中。产品以卷带或剪切带形式提供，适用于自动化表面贴装生产流程。
- 型号:MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-VFBGA（8x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:208 MHz
- 写周期时间 - 字，页:14.4ns
- 访问时间:5 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-VFBGA
- 供应商器件封装:60-VFBGA（8x9）
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