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MICRON
MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR的图片

MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
原厂封装:封装:90-VFBGA(8x13)
优势价格,MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR是美光科技生产的一款256Mb容量移动低功耗SDRAM。该器件采用8M x 32位的并行架构,在133MHz的时钟频率下运行,提供高速数据访问能力,其字/页写周期时间为15ns,访问时间仅为5.4ns。

该芯片的核心优势在于其优异的功耗控制,其工作电压范围为1.7V至1.95V,并集成了温度补偿自刷新(TCSR)等高级电源管理功能,专为延长电池寿命的便携式设备而优化。采用90-VFBGA小型化封装,支持-40°C至85°C的工业级工作温度,适用于对可靠性、空间和能效有严苛要求的嵌入式及移动应用。

  • 型号:MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:90-VFBGA(8x13)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
  • 存储容量:256Mb
  • 存储器组织:8M x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:5.4 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:90-VFBGA
  • 供应商器件封装:90-VFBGA(8x13)
  • 想获取MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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