MT45W8MW16BGX-701 WT TR是美光科技生产的一款128Mb（8M x 16位）伪静态随机存储器（PSRAM），采用54-VFBGA封装并以卷带形式供货。该器件核心优势在于其伪SRAM架构，内部自动处理刷新操作，对外呈现标准SRAM接口，极大简化了系统设计。
其技术参数针对高性能嵌入式应用优化，支持高达104MHz的时钟频率，访问时间与写周期时间均为70ns，确保了快速的数据吞吐能力。器件工作在1.7V至1.95V的低电压范围，功耗表现优异，并能在-30°C至85°C的宽温度范围内稳定工作，满足严苛环境下的可靠性要求。
- 型号:MT45W8MW16BGX-701 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM（伪 SRAM）
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:104 MHz
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA（8x10）
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