MT29F4G16ABADAH4:D是美光科技生产的一款4Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用256M x 16位的组织架构，提供非易失性数据存储解决方案，工作电压为2.7V至3.6V，兼容广泛的3.3V系统。
其核心特性包括基于并联异步接口的高速数据传输，无需时钟信号，简化了控制器设计。芯片采用63-VFBGA小型化封装，适用于表面贴装工艺，工作温度范围为0°C至70°C，满足商业级应用的环境要求。此型号适用于需要可靠、中等容量存储的嵌入式系统。
- 型号:MT29F4G16ABADAH4:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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