MT49H16M18CBM-25 IT:B 是一款由美光科技生产的288Mb并行DRAM芯片，采用16M x 18的存储结构。该器件设计用于提供高速数据访问与传输，其核心工作频率达到400MHz，并具备20ns的快速访问时间，能够有效满足对时序要求严格的应用需求。
该芯片在1.7V至1.9V电压下工作，功耗表现均衡，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在恶劣环境下的可靠性。其采用144-TFBGA表面贴装封装，适用于高密度PCB板设计。这些特性使其成为工业控制、网络通信及高端嵌入式系统中需要稳定、高速存储解决方案的理想选择。
- 型号:MT49H16M18CBM-25 IT:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:16M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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