MT41J64M16JT-125:G是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3 SDRAM存储器。该芯片采用64M x 16位的组织架构，通过并联接口提供高速数据访问，其核心时钟频率为800MHz，实现高达1600MT/s的数据传输速率。
该器件工作电压为1.5V（±5%容差），采用96-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围覆盖0°C至95°C。这些参数共同构成了其高速、低功耗和可靠运行的核心特性，适用于需要高带宽数据处理的各类嵌入式与通信系统。
- 型号:MT41J64M16JT-125:G
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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