MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR是美光科技生产的一款1Gb NAND闪存芯片，采用64M x 16位的并行架构，提供非易失性数据存储。该芯片工作电压为1.7V至1.95V，支持低功耗操作，并具有-40°C至85°C的宽温范围，适用于严苛环境。
其63-VFBGA表面贴装封装优化了空间利用，而并行接口确保了高速数据传输。作为有源存储器产品，它适用于工业控制、嵌入式系统等需要可靠、大容量存储的应用，并通过卷带或剪切带包装支持高效生产。
- 型号:MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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