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MICRON
MT45W1MW16BAFB-856 WT的图片

MT45W1MW16BAFB-856 WT

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
原厂封装:产品封装:54-VFBGA
优势价格,MT45W1MW16BAFB-856 WT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT45W1MW16BAFB-856 WT的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT45W1MW16BAFB-856 WT是一款由美光科技制造的16Mb(1M x 16)并行接口PSRAM芯片。该器件采用伪SRAM技术,内部集成刷新逻辑,为设计人员提供了无需管理刷新操作、接口简单的SRAM替代方案,同时具备DRAM架构的高存储密度优势。

其关键参数包括85ns的访问/写周期时间,以及1.7V至1.95V的宽范围低工作电压,兼顾了系统性能与功耗要求。芯片采用54-VFBGA封装,工作温度范围为-30°C至85°C,适用于对空间和可靠性有较高要求的各类嵌入式及便携式应用。

  • 制造商产品型号:MT45W1MW16BAFB-856 WT
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:盒
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:PSRAM
  • 技术:PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量:16Mb(1M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:85ns
  • 访问时间:85ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:54-VFBGA
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