MT47H256M4SH-25E:M TR是美光科技推出的一款1Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用256M x 4位的组织架构。该器件在400MHz时钟频率下运行，实现高达800Mbps的数据速率，其400ps的访问时间与15ns的写周期时间确保了高速的数据读写性能。
芯片采用1.8V核心电压与SSTL_18接口标准，工作温度范围为0°C至85°C，封装于60-TFBGA中，适合表面贴装。其特性包括片内终结（ODT），有助于优化信号完整性，主要服务于网络基础设施、嵌入式系统等需要可靠、高性能并行内存的领域。
- 型号:MT47H256M4SH-25E:M TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:256M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
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