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MICRON
MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR的图片

MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR是美光科技的一款4Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该器件采用128M x 32位的组织架构,运行时钟频率高达1.866GHz,能够为系统提供高带宽的数据传输能力,满足现代移动应用处理器对内存性能的需求。

其核心优势在于卓越的能效比,通过采用0.6V(I/O)和1.1V(核心)的双电压供电设计,并结合LPDDR4的低功耗特性,有效降低了整体功耗。器件采用200-WFBGA紧凑型封装,支持-40°C至125°C的宽工作温度范围,并采用卷带包装,确保了其在空间受限的移动及工业嵌入式应用中的高可靠性与易用性。

  • 型号:MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:128M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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