MT44K32M18RB-107E:A TR

MT44K32M18RB-107E:A TR是美光科技生产的一款576Mb容量、并行接口的DRAM存储器芯片。该器件采用32M x 18的存储结构，核心优势在于其高达933MHz的时钟频率与8ns的快速访问时间，能够为系统提供卓越的数据吞吐性能和低延迟响应。

该芯片工作电压为1.28V~1.42V，采用168-TBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），兼顾了性能与功耗的平衡，并确保了在宽温环境下的可靠性。其并行接口设计简化了与主控芯片的连接，适用于需要高速数据交换和缓冲的各类电子系统。

• 型号:MT44K32M18RB-107E:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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