MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR是美光科技设计的一款集成1Gb NAND闪存与1Gb移动LPDRAM的复合存储器芯片。它采用130-VFBGA封装，通过单一芯片提供非易失性存储与高速易失性内存，旨在优化空间受限的嵌入式系统的存储架构。
该器件核心特性包括并联接口、166MHz的LPDRAM时钟频率以及1.7V~1.95V的宽电压供电范围，支持-40°C至85°C的工业级工作温度。其128M x 8的NAND闪存与32M x 32的LPDRAM组合，为需要兼顾数据持久化与高速数据缓存的移动及嵌入式应用提供了一个高度集成的解决方案。
- 型号:MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:130-VFBGA（8x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
- 存储容量:1Gb（NAND），1Gb（LPDRAM）
- 存储器组织:128M x 8（NAND），32M x 32（LPDRAM）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:130-VFBGA
- 供应商器件封装:130-VFBGA（8x9）
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