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MICRON
MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR的图片

MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
原厂封装:封装:216-FBGA(12x12)
优势价格,MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR 是美光科技生产的一款8Gb容量移动LPDDR2 SDRAM。该器件采用128M x 64位的存储组织架构,通过533MHz时钟频率和双倍数据率(DDR)技术,实现高达1066MT/s的数据传输速率,为系统提供高效的内存带宽。

其核心优势在于出色的功耗控制,工作电压低至1.14V~1.3V,并支持多种高级省电模式,专为电池供电的便携式设备优化。器件采用216-WFBGA小型化封装,工作温度范围达-30°C至85°C,满足移动及嵌入式应用对紧凑尺寸和宽温可靠性的要求。

  • 型号:MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:216-FBGA(12x12)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:128M x 64
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:216-WFBGA
  • 供应商器件封装:216-FBGA(12x12)
  • 想获取MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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