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MICRON
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B的图片

MT53E256M32D2DS-046 AIT:B

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E256M32D2DS-046 AIT:B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E256M32D2DS-046 AIT:B的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E256M32D2DS-046 AIT:B是美光科技推出的一款8Gb容量移动LPDDR4 SDRAM,采用256M x 32的组织结构。该芯片的核心优势在于其高达2.133GHz的时钟频率,可提供4266MT/s的数据传输速率,显著提升了系统数据吞吐带宽。

该器件采用0.6V和1.1V双电压供电,符合LPDDR4标准的低功耗特性,能有效优化能效比。其工作温度范围覆盖-40°C至95°C,并采用200-ball WFBGA封装,确保了在宽温环境和紧凑空间设计中的高可靠性,适用于对性能与功耗有严格平衡要求的移动及嵌入式平台。

  • 型号:MT53E256M32D2DS-046 AIT:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:256M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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