MT41K64M16TW-107 AAT:J是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3L SDRAM存储器，采用64M x 16位组织架构和并联接口。该器件属于通过AEC-Q100认证的汽车级系列，确保了在-40°C至105°C宽温度范围内的卓越可靠性，适用于严苛环境。
其核心特性包括高达933MHz的时钟频率（等效1866MT/s数据速率）和1.35V低工作电压（范围1.283V~1.45V），在提供高带宽性能的同时实现了更优的能效。芯片采用96-TFBGA紧凑封装，支持表面贴装，并具备良好的信号完整性管理功能，主要面向汽车电子、工业控制及高性能嵌入式系统等对稳定性与温度适应性要求极高的应用场景。
- 型号:MT41K64M16TW-107 AAT:J
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
- 想获取MT41K64M16TW-107 AAT:J的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
