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MICRON
MT53D512M32D2NP-046 WT:E TR的图片

MT53D512M32D2NP-046 WT:E TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53D512M32D2NP-046 WT:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M32D2NP-046 WT:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M32D2NP-046 WT:E TR是美光科技生产的一款16Gb容量Mobile LPDDR4 SDRAM芯片。该器件采用512M x 32的存储结构,在2133MHz的时钟频率下运行,可实现高速数据访问,满足现代移动设备对内存带宽的严苛需求。

其核心卖点在于优异的能效表现,1.1V的工作电压显著降低了动态和静态功耗。同时,器件采用200-WFBGA小型化封装,适用于空间紧凑的设计。宽温工作范围(-30°C至85°C)则保障了其在各种环境条件下的可靠性,适合集成于高性能智能手机、平板电脑及其他便携式电子设备中。

  • 型号:MT53D512M32D2NP-046 WT:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb
  • 存储器组织:512M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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