MT47H32M8BP-5E:B TR是美光科技生产的一款256Mb DDR2 SDRAM芯片,采用32M x 8的并行组织架构。该器件基于DDR2技术,在200MHz的时钟频率下可实现400MT/s的有效数据传输速率,显著提升了系统内存带宽。
其核心特性包括1.7V至1.9V的低工作电压范围,有助于降低系统整体功耗;600ps的快速访问时间和15ns的写周期时间确保了高效的数据处理能力。芯片采用60-FBGA封装,表面贴装,工作温度范围为0°C至85°C(TC),适用于商业级嵌入式应用。
- 型号:MT47H32M8BP-5E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA(8x12)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:600 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA(8x12)
- 想获取MT47H32M8BP-5E:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料