MT41K512M8V00HWC1是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片。该器件采用512M x 8位的组织结构，属于易失性DRAM存储器，其核心优势在于采用了低功耗的DDR3L技术，标准工作电压范围为1.283V至1.45V，相比传统DDR3能有效降低系统功耗。
该芯片具备并联存储器接口，支持高速数据传输。其工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC），确保了在严苛环境下的稳定运行。作为一款有源器件，它主要面向需要大容量、高性能且对能效有较高要求的各类计算和通信平台。
- 型号:MT41K512M8V00HWC1
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:模具
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:模具
- 供应商器件封装:模具
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