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MICRON
MT41J512M8THU-15E:A的图片

MT41J512M8THU-15E:A

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 667MHZ
原厂封装:封装:-
优势价格,MT41J512M8THU-15E:A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41J512M8THU-15E:A的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41J512M8THU-15E:A 是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3 SDRAM芯片。该器件采用512M x 8的存储组织架构,通过并联接口与控制器通信,其I/O时钟频率达到667MHz,实现1333MT/s的数据传输速率,为系统提供高带宽的内存访问能力。

芯片工作在1.5V电压下,访问时间为13.5ns,并采用82-FBGA表面贴装封装,适用于紧凑的板级设计。其核心卖点在于结合了DDR3技术的高速性能与成熟的可靠性,支持关键的信号完整性功能,如片上终端(ODT),以满足工业温度范围(0°C至95°C)内稳定运行的要求。

  • 型号:MT41J512M8THU-15E:A
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:-
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 667MHZ
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:13.5 ns
  • 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:82-FBGA
  • 供应商器件封装:-
  • 想获取MT41J512M8THU-15E:A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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