MT41K512M8RH-125 IT:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用78-TFBGA封装。该器件基于先进的DDR3L技术，在1.283V至1.45V的低电压下工作，显著降低了系统功耗，同时其800MHz的时钟频率可提供高达1600 MT/s的数据传输速率，实现了高性能与高能效的结合。
该芯片采用512M x 8的并行存储结构，访问时间为13.75ns，能够有效满足高速数据存取的需求。其宽泛的工作温度范围（-40°C ~ 95°C）和表面贴装设计，使其能够稳定部署于对可靠性要求严苛的工业与网络通信环境中，为相关设备提供核心的内存支持。
- 型号:MT41K512M8RH-125 IT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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