MT41K512M8RH-125 IT:E是美光科技推出的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片。该器件采用512M x 8位的组织架构，支持高达800MHz的时钟频率（1600MT/s数据传输速率），并提供13.75ns的快速访问时间，能够为系统提供高带宽和低延迟的内存访问性能。
其核心优势在于1.283V至1.45V的低电压供电，显著降低了运行功耗，符合现代电子系统对能效的严格要求。同时，器件支持-40°C至95°C的宽工作结温范围，并采用78-TFBGA表面贴装封装，确保了在工业及嵌入式应用环境下的高可靠性和紧凑的电路板设计。
- 型号:MT41K512M8RH-125 IT:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
- 想获取MT41K512M8RH-125 IT:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
