MT46V64M8FN-6 IT:F

MT46V64M8FN-6 IT:F是美光科技推出的一款512Mbit（64M x 8）DDR SDRAM芯片，采用并联接口和60-TFBGA封装。该器件核心特性包括167MHz的时钟频率，结合DDR技术可实现高效数据传输；其工作电压范围为2.3V至2.7V，支持-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。

该芯片提供了700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，适用于需要高带宽和快速响应的嵌入式系统。其表面贴装型设计和紧凑的BGA封装，有利于在空间受限的应用中实现高密度电路板布局，是网络设备、工业控制及汽车电子等领域中缓冲与程序存储功能的理想选择。

• 型号:MT46V64M8FN-6 IT:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
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