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MICRON
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E的图片

MT53E768M32D4DT-053 AAT:E

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA
原厂封装:封装:200-VFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E768M32D4DT-053 AAT:E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E768M32D4DT-053 AAT:E的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E768M32D4DT-053 AAT:E是美光科技推出的一款符合AEC-Q100标准的汽车级LPDDR4移动DRAM。该器件提供24Gb(768M x 32)的大容量存储,运行时钟频率高达1.866GHz,能够为数据密集型车载应用提供高带宽支持。

其设计兼顾高性能与低功耗,采用0.6V和1.1V双电压供电,并支持多种低功耗模式。器件采用200-VFBGA封装,工作温度范围覆盖-40°C至105°C,确保了在严苛汽车环境下的长期可靠性与稳定性,主要面向高级驾驶辅助系统(ADAS)和车载信息娱乐系统等关键领域。

  • 型号:MT53E768M32D4DT-053 AAT:E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-VFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:24Gb
  • 存储器组织:768M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-VFBGA
  • 供应商器件封装:200-VFBGA(10x14.5)
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