MT40A1G8WE-075E:D是美光科技推出的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用1G x 8位的组织架构和并联接口。该器件基于DDR4技术，时钟频率达到1.33GHz，可实现高达2666 MT/s的数据传输速率，为系统提供高带宽的内存访问能力。
其工作电压范围为1.14V至1.26V，在提升性能的同时有效降低了功耗。芯片采用78-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），具备良好的环境适应性。这些核心参数使其适用于对数据吞吐速度和系统可靠性有较高要求的计算与通信平台。
- 型号:MT40A1G8WE-075E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.33 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x12）
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