MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR

MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR是美光科技推出的一款64Gb（8G x 8）容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于成熟的闪存技术，提供非易失性数据存储解决方案，其核心卖点在于高达267MHz的时钟频率，这为需要高数据吞吐率的应用提供了关键的性能支撑。

该芯片工作在2.7V至3.6V的宽电压范围内，并采用132-VBGA表面贴装封装，确保了良好的电源适应性与紧凑的板级设计。其0°C至70°C的商业级工作温度范围与卷带包装形式，使其能够高效集成于各类对存储容量和速度有较高要求的电子系统中。

• 制造商产品型号：MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：64Gb（8G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• 想获取MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料