MT41K512M8RH-125 AIT:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM存储器，采用512M x 8的并行架构。该器件基于DDR3L技术，在800MHz时钟频率下可实现1600 MT/s的数据传输速率，并提供13.75ns的快速访问时间，为系统提供了高带宽的数据通道。
其核心优势在于1.35V的低工作电压与宽电压范围（1.283V~1.45V）支持，显著降低了动态功耗，符合现代电子系统对能效的严格要求。同时，器件具备-40°C至95°C的宽工作结温范围和表面贴装型78-TFBGA封装，确保了在工业及扩展温度环境下的可靠性和紧凑的电路板布局适应性。
- 型号:MT41K512M8RH-125 AIT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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