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MT49H16M18BM-18:B的图片

MT49H16M18BM-18:B

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
原厂封装:封装:144-BGA(18.5x11)
优势价格,MT49H16M18BM-18:B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT49H16M18BM-18:B的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT49H16M18BM-18:B 是美光科技生产的一款288Mb容量并行接口DRAM芯片。该器件采用16M x 18的组织结构,工作时钟频率为533MHz,并具备15ns的访问时间,旨在为需要高数据带宽的应用提供快速的数据读写支持。

其核心电气特性包括1.7V至1.9V的工作电压范围,以及0°C至95°C(TC)的宽工作温度范围,确保了在苛刻环境下的稳定性和较低的功耗表现。器件采用144-TFBGA表面贴装封装,适用于空间受限的嵌入式系统设计。

  • 型号:MT49H16M18BM-18:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:144-BGA(18.5x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:DRAM
  • 存储容量:288Mb
  • 存储器组织:16M x 18
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:15 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:144-TFBGA
  • 供应商器件封装:144-BGA(18.5x11)
  • 想获取MT49H16M18BM-18:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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